​含沟槽栅碳化硅MOSFET，晶能、三菱电机、悉智科技发布新品

近日，晶能、三菱电机、悉智科技相继发布了碳化硅功率器件/模块新品，其中包括沟槽栅SiC-MOSFET。

晶能发布太乙混合功率器件，采用SiC&IGBT并联设计

11月12日，据晶能微电子官微消息，由吉利汽车集团中央研究院新能源开发中心、技术规划中心、电子电器中心和零部件产业中心携手行业内零部件、半导体企业及高校、科研院所共同举办的“吉利汽车功率半导体技术创新平台”揭牌仪式于11月4日举行。

source：晶能

揭牌仪式上，平台发布了首期成果——太乙混合功率器件。太乙混合功率器件为平台首期合作伙伴晶能、意法半导体等联合开发的平台化方案，采用SiC&IGBT 并联设计，峰值功率可拓展150-260kw，系统尺寸仅为A4纸大小，出流能力超过430A。

source：晶能

三菱电机提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品

11月12日，据三菱电机官微消息，三菱电机将于11月14日开始提供用于电动汽车（EV）、插电式混合动力汽车（PHEV）和其他电动汽车（xEV）电驱逆变器的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）裸片样品，这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片。

这款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片结合了特有的芯片结构和制造技术，有助于提升逆变器性能、延长续航里程和提高xEV的能源效率。

source：三菱电机

据介绍，三菱电机于1997年开始量产用于xEV的功率半导体模块，并已应用于各种电动汽车（EV）和混合动力电动汽车（HEV）。2024年3月，其开始供应J3系列xEV功率半导体样品，该系列产品采用最新压注模（T-PM）技术实现小型化设计，在汽车市场得到广泛应用。

三菱电机的新型功率半导体芯片是一种特有的沟槽栅SiC-MOSFET，与传统的平面栅SiC-MOSFET相比，其功率损耗降低了约50%。

特有的制造技术，如抑制功率损耗和导通电阻波动的栅极氧化膜工艺，让新款芯片更加耐久稳定，有助于提高逆变器的耐用性和xEV性能。

悉智科技推出车载OCDC混合功率模块

11月13日，据悉智科技官微消息，悉智科技近日推出自主创新的下一代车载OCDC混合功率模块，实现全国产化Si/SiC器件导入。

source：悉智科技

据介绍，国内车企关注OCDC体积，国内OCDC目前量产方案中绝大部分采用立体水道器件底部散热，包括传统单管方案和铝基板方案两种，悉智科技推出的下一代OCDC功率模块适用于立体水道。

文：集邦化合物半导体Zac整理

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